Wygląda na to, że JavaScript jest wyłączony w twojej przeglądarce. By w pełni cieszyć się naszą stroną, upewnij się, że włączyłeś JavaScript w swojej przeglądarce.

Przejdź na koniec galerii

main product photo

Przejdź na początek galerii

IRF9Z24NPBF

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Powiadom mnie gdy produkt będzie dostępny

Więcej informacji
Do pobrania	Download
Main description	Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

PARAMETRY PRODUKTU

Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Informacje podstawowe

ProducentInfineon Technologies AG
EURoHSYes (2011/65/EU, 2015/863)
Automotive No

Informacje dodatkowe

Crosses 3
Inventory 10
PCNs 92
MaskPart IRF9Z24NPBF%
IntroductionDate Feb 05, 2004
EnablingEnergyEfficiency No
AliasParts SP001555934
SupplierUrl http://www.infineon.com/cms/en/product/findProductTypeByName.html?q=IRF9Z24NPBF

Parametry

Category Power MOSFET
Channel Mode Enhancement
Channel Type P
Configuration Single
Material Si
Maximum Continuous Drain Current (A) 12
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 175@10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 55
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Operating Temperature (°C) 175
Maximum Power Dissipation (mW) 45000
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Number of Elements per Chip 1
Process Technology HEXFET
Supplier Temperature Grade N/A
Typical Fall Time (ns) 37
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 19(Max)
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 19(Max)@10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 350@25V
Typical Rise Time (ns) 55
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 23
Typical Turn-On Delay Time (ns) 13

Copyright © CBTG technologie - Dystrybucja Komponentów Elektronicznych