Wygląda na to, że JavaScript jest wyłączony w twojej przeglądarce. By w pełni cieszyć się naszą stroną, upewnij się, że włączyłeś JavaScript w swojej przeglądarce.

Przejdź na koniec galerii

main product photo

Przejdź na początek galerii

74LVC1G10W6-7

DIODES INCORPORATED

Powiadom mnie gdy produkt będzie dostępny

Więcej informacji
Do pobrania	Download
Main description	NAND Gate 1-Element 3-IN CMOS 6-Pin SOT-26 T/R

PARAMETRY PRODUKTU

NAND Gate 1-Element 3-IN CMOS 6-Pin SOT-26 T/R

Informacje podstawowe

ProducentDiodes Incorporated
EURoHSYes (2011/65/EU, 2015/863)
Automotive No

Informacje dodatkowe

Crosses 9
Inventory 3
PCNs 16
GIDEP-Alerts 2
MaskPart 74LVC1G10W6%
IntroductionDate Dec 20, 2010

Parametry

Absolute Propagation Delay Time (ns) 21.6
Input Type N/A
Logic Family LVC
Logic Function NAND
Maximum High Level Output Current (mA) -32
Maximum Low Level Output Current (mA) 32
Maximum Operating Supply Voltage (V) 5.5
Maximum Operating Temperature (°C) 125
Maximum Propagation Delay Time @ Maximum CL (ns) 6@3.3V|4.3@5V
Maximum Quiescent Current (uA) 40
Maximum Storage Temperature (°C) 150
Maximum Supply Current (mA) N/A
Minimum Operating Supply Voltage (V) 1.65
Minimum Operating Temperature (°C) -40
Minimum Storage Temperature (°C) -65
Number of Element Inputs 3-IN
Number of Element Outputs 1
Number of Elements per Chip 1
Number of Output Enables per Element 0
Number of Selection Inputs per Element 0
Output Type N/A
Process Technology CMOS
Propagation Delay Test Condition (pF) 50
Supplier Temperature Grade N/A
Typical Operating Supply Voltage (V) 1.8|2.5|3.3|5
Typical Quiescent Current (uA) N/A
Typical Supply Current (mA) N/A

Copyright © CBTG technologie - Dystrybucja Komponentów Elektronicznych